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新唐8051单片机 ML51TB9AE 芯片 (QFN33)
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ML51TB9AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器,正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz,并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器,支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度: - 40 ℃ 至 105 ℃。

ML51TB9AE 包含 16 K 字节的 Flash 以及一个额外 1 K 字节片上辅助 RAM(XRAM), 备有丰富的外设,如 28 个通用 I/O、2 组串口、1 组 ISO-7816 界面、2 组 I²C 与 2 组 SPI,并提供 QFN33 封装。

目标应用:

穿戴式装置、智能摇控器、互联网端点设备、智能家居、烟感侦测装置、电池装置等。

关键特性:

CPU
 -全静态 8 位 1T 8051 内核 CMOS 微控制器
 -指令集全兼容 MCS-51
 -4 级优先级中断配置
 -双数据指针 (DPTRs)
   
工作条件
 -宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V
 -宽工作频率最高至 24 MHz
 -工业级工作温度 - 40 ℃至 + 105 ℃
  
低功耗特性
 -正常运行模式典型功耗 80 uA/ MHz
 -低功耗运行模式典型功耗 15 uA
 -低功耗空闲模式功耗不超过 13 uA
 -掉电模式典型功耗小于 1 uA
 -掉电模式下唤醒时间为 10 us (HIRC运行)
   
内存
 -16 K 字节 APROM, 用于使用者代码
 -可配置 4K/3K/2K/1K 字节 LDROM, 用于启动系统程序设计(ISP)代码
 -APROM中应用编程(IAP)内存 128 字节每页累加
 -Flash 内存 100,000 次擦写寿命
 -代码安全加密
 -256 字节片上 RAM
 -额外 1 K字节片上辅助 RAM (XRAM) ,通过 MOVX 指令访问
  
PDMA
 -三种模式: 外部设备到内存, 内存到外部设备, 和内存到内存传输
 -所有模式下源地址和目标地址必须字对齐
 -内存到内存模式: 传输长度必须字对齐
 -外部设备到内存和内存到外部设备模式:传输数据长度可以字节对齐
 -外部设备到内存和内存到外部设备模式:传输数据宽度字节对齐
   
时钟源
 -24 MHz 高速内部振荡器 (HIRC) ± 1 %精度等级 (25 °C, 3.3 V) 全工作条件范围下精度 ±5 % 精度等级
 -38.4 kHz低速内部振荡器 (LIRC) ± 1 %精度等级 (25 °C, 3.3 V) , 全工作条件范围下精度 ± 10 % 精度等级
 -外置 4 ~ 24 MHz (HXT)晶振输入为精密定时操作
 -外置 32.768 kHz (LXT)晶振输入
 -运行中可通过软件对时钟源切
 -可编程系统时钟分频器从1/2, 1/4, 1/6, 1/8…, 最高到 1/512
   
   


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